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碳化硅陶瓷采用熱等靜壓燒結(jié)在性能上有何變化?

點擊次數(shù):   更新時間:2020-08-27 15:14:08   分    享:
  近年來,為進(jìn)一步提高SiC陶瓷的力學(xué)性能,公司進(jìn)行了SiC陶瓷熱等靜壓工藝的研究工作。主要以B和C為添加劑,采用熱等靜壓燒結(jié)工藝,在1900℃便獲得高密度SiC燒結(jié)體。更進(jìn)一步,通過該工藝,在2000℃和138MPa壓力下,成功實現(xiàn)無添加劑SiC陶瓷的致密燒結(jié)。
  結(jié)果表明:當(dāng)SiC粉末的粒徑小于0.6μm時,即使不引入任何添加劑,通過熱等靜壓燒結(jié),在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2/g的SiC超細(xì)粉,采用熱等靜壓燒結(jié)工藝,在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。
  另外,Al2O3是熱等靜壓燒結(jié)SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結(jié)致密化不起作用,過量的C甚至?xí)种芐iC陶瓷的燒結(jié)。
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